상온 방사선 검출기용 CdMnTe 결정의 성장과 특성 분석

Abstract

본 연구에서는 수직 Bridgeman 법으로 성장시킨 Ⅱ-Ⅵ 족 화합물 반도체인 CdTe에 Mn을 치환한 Cd1-xMnxTe 단결정의 구조적, 광학적 그리고 전기적인 특성을 조사하였다. 상온에서 높은 에너지를 검출 할 수 있는 Cd1-xMnxTe 반도체는 높은 저항성과 넓은 띠 간격 에너지, 뛰어난 전자 전달 특성을 가지고 있기 때문에 방사선 검출기로써 유망한 재료이다 성장된 시료의 X-선 회절 측정으로부터 zinc-blende 구조를 가지는 것을 확인하였고, Mn의 조성비(x = 0.05, 0.10, 0.15, 0.20)에 따른 결정들 중에서 결정성이 가장 우수한 Cd0.95Mn0.05Te의 격자 상수는 6.4997 Å, (220) 피크의 반치폭은 0.05218 deg 임을 확인하였으며, Cd0.95Mn0.05Te 결정의 비저항은 ~108 Ω·cm이었다. HAuCl¬4 용액으로 제작된 Au/Cd0.95Mn0.05Te Schottky diode가 I-V 특성이 가장 우수하게 나타났으며, DC sputter로 제작된 Au/Cd0.95Mn0.05Te Schottky diode의 특성으로부터 Schottky 장벽 높이는 1.56 eV 임을 확인하였다.